1. MJW0281AG
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

MJW0281AG 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN DIP PWR XTOR

内部编号

277-MJW0281AG

生产厂商

ON Semiconductor

ONSEMI

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

MJW0281AG产品详细规格

文档 Multiple Devices 02/Jan/2007
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Product Discontinuation 02/Jan/2007
标准包装 30
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 15A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 260V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 1V @ 500mA, 5A
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 75 @ 3A, 5V
功率 - 最大 150W
频率转换 30MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247
包装材料 Tube
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
RoHS RoHS Compliant
配置 Single
晶体管极性 NPN
集电极 - 基极电压VCBO 260 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO 260 V
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
集电极最大直流电流 15 A
增益带宽产品fT 30 MHz
直流集电极/增益hfe最小值 75
最高工作温度 + 150 C
安装风格 Through Hole
封装/外壳 TO-247-3
最大功率耗散 150000 mW
最低工作温度 - 65 C
封装 Rail
寿命 Obsolete
集电极最大直流电流 15
最小直流电流增益 75@0.5A@5V|75@1A@5V|75@3A@5V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-247
最低工作温度 -65
最大功率耗散 150000
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 30(Min)
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 260
供应商封装形式 TO-247
最大集电极发射极电压 260
类型 NPN
引脚数 3
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 15A
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 30MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1V @ 500mA, 5A
标准包装 30
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 260V
供应商设备封装 TO-247
功率 - 最大 150W
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 75 @ 3A, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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